Branża elektromaszynowa

Wykonywanie miniaturowych wysokorozdzielczych obwodów biernych na podłożach ceramicznych

Oferujemy technologię wytwarzania wysokorozdzielczych obwodów grubowarstwowych na podłożach ceramicznych Al2O3. Obwody mogą bazować na metalach: Ag, Au, Pt, Pd lub dielektrykach.

Proces technologiczny stosowania...

Proces technologiczny pokryć ochronnych

Linia składa się z:

  1. Oczyszczarki śrutowej komorowej .

    Oczyszczarka służy do czyszczenia : odlewów, arkuszy blach, elementów z blach oraz konstrukcji spawanych (przed i po obróbce cieplnej). Maksymalne gabaryty elementów 20m x 5m x 5m.

  2. Myjnia z urządzeniem myjącym .

    Elementy przed wykonaniem...

Wyoblanie, również z podgrzewaniem laserowym w trakcie realizacji procesu, korzystnie dla materiałów trudno odkształcalnych

Wyoblanie jest jedną z metod kształtowania obrotowego wyrobów z blach. Metoda polega na tym, że wirujący krążek blachy kształtowany jest w jednym lub kilku ruchach na narzędziu w postaci wzornika rolami...

Materiały do montażu struktur półprzewodnikowych mocy

Oferujemy materiały do niskotemperaturowy montażu spiekanego (LTJT). Ta metoda umożliwia wytworzenie trwałego złącza pomiędzy dwoma metalizowanymi powierzchniami. Procedura montażu polega na nałożeniu materiału w postaci pasty na jedną z metalizowanych powierzchni poprzez druk przez szablon lub sito. Następnie...

Piezoelektroniczny, bezprzewodowy czujnik temperatury

Piezoelektroniczny czujnik temperatury jest zbudowany na bazie rezonatora z akustyczną falą powierzchniową. Częstotliwość rezonansowa podzespołu zmienia się w funkcji temperatury. Możliwy jest bezprzewodowy, pasywny odbiór sygnału czujnika lub siatki czujników z kodowaniem identyfikatora węzła siatki (RF-ID)....

Laser półprzewodnikowy w obudowie umożliwiającej wyprowadzenie skolimowanej lub zogniskowanej wiązki promieniowania o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu bezpośredniego wyprowadzenia wiązki promieniowania (przez okienko).

Wyjściowa wiązka optyczna...

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody.

W przypadku zmontowania...

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi...

Wysokonapięciowa dioda SiC

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć  i prądów dla...