Branża elektromaszynowa

Proces technologiczny pokryć ochronnych

Linia składa się z:

  1. Oczyszczarki śrutowej komorowej .

    Oczyszczarka służy do czyszczenia : odlewów, arkuszy blach, elementów z blach oraz konstrukcji spawanych (przed i po obróbce cieplnej). Maksymalne gabaryty elementów 20m x 5m x 5m.

  2. Myjnia z urządzeniem myjącym .

    Elementy przed wykonaniem...

Wyoblanie, również z podgrzewaniem laserowym w trakcie realizacji procesu, korzystnie dla materiałów trudno odkształcalnych

Wyoblanie jest jedną z metod kształtowania obrotowego wyrobów z blach. Metoda polega na tym, że wirujący krążek blachy kształtowany jest w jednym lub kilku ruchach na narzędziu w postaci wzornika rolami...

Materiały do montażu struktur półprzewodnikowych mocy

Oferujemy materiały do niskotemperaturowy montażu spiekanego (LTJT). Ta metoda umożliwia wytworzenie trwałego złącza pomiędzy dwoma metalizowanymi powierzchniami. Procedura montażu polega na nałożeniu materiału w postaci pasty na jedną z metalizowanych powierzchni poprzez druk przez szablon lub sito. Następnie...

Piezoelektroniczny, bezprzewodowy czujnik temperatury

Piezoelektroniczny czujnik temperatury jest zbudowany na bazie rezonatora z akustyczną falą powierzchniową. Częstotliwość rezonansowa podzespołu zmienia się w funkcji temperatury. Możliwy jest bezprzewodowy, pasywny odbiór sygnału czujnika lub siatki czujników z kodowaniem identyfikatora węzła siatki (RF-ID)....

Laser półprzewodnikowy w obudowie umożliwiającej wyprowadzenie skolimowanej lub zogniskowanej wiązki promieniowania o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu bezpośredniego wyprowadzenia wiązki promieniowania (przez okienko).

Wyjściowa wiązka optyczna...

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody.

W przypadku zmontowania...

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi...

Wysokonapięciowa dioda SiC

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć  i prądów dla...

Metoda neutralizacji zużytych emulsji olejowych

Opracowana w IZTW metoda neutralizacji zużytych emulsji olejowych Rotresel oparta jest na metodzie elektrostatyczno-elektrolitycznej, należącej do grupy metod elektrochemicznych unieszkodliwiania tego typu odpadów. Metoda ta opiera się na zasadzie destabilizacji jonowej otoczki pojedynczej kropli oleju...

Zmiana napędu autobusów z silnika olejowego (diesel) na napęd elektryczny

Firma MCI Invest Ltd (dalej zwana „MCI”) proponuje zawarcie Umowy o transferze praw do technologii i nadaniu licencji w zakresie przekształcania autobusów starej technologii z napędem olejowym (Diesla) na nowoczesne autobusy z napędem elektrycznym,...

Rodzina maszyn pomiarowych Linea

Maszyny pomiarowe przeznaczone są do przeprowadzania pomiarów bezwzględnych długości w przestrzennym układzie współrzędnych. Znajdują zastosowanie szczególnie w kontroli wymiarowej elementów o złożonych kształtach i dużej liczbie wymiarów. Mogą być stosowane jako samodzielne stanowiska pomiarowo-kontrolne w warunkach produkcyjnych i w...