Budownictwo

Technologie szkła i włókna PCF: wysoko dwójłomne; nieliniowe do generacji supercontinuum ze strukturyzowanymi rdzeniami

Zastosowanie szkieł wieloskładnikowych do wytwarzania włókien fotonicznych ma szereg zalet w stosunku do szkieł krzemionkowych: *łatwiejsze kształtowanie otworów o różnym profilu w płaszczu...

Totalbackup

Platforma TotalBackup to wszechstronne rozwiązanie do archiwizowania i synchronizacji danych. Kluczowe elementy systemu, takie jak aplikacja desktop instalowana na komputerze, panel użytkownika, aplikacje mobilne oraz aplikacje instalowane na serwerach, zapewniają kompleksowe zabezpieczenie danych.

Platforma posiada wbudowane mechanizmy do backupu baz danych, środowisk wirtualnych oraz...

Proces technologiczny pokryć ochronnych

Linia składa się z:

  1. Oczyszczarki śrutowej komorowej .

    Oczyszczarka służy do czyszczenia : odlewów, arkuszy blach, elementów z blach oraz konstrukcji spawanych (przed i po obróbce cieplnej). Maksymalne gabaryty elementów 20m x 5m x 5m.

  2. Myjnia z urządzeniem myjącym .

    Elementy przed wykonaniem...

Materiały do montażu struktur półprzewodnikowych mocy

Oferujemy materiały do niskotemperaturowy montażu spiekanego (LTJT). Ta metoda umożliwia wytworzenie trwałego złącza pomiędzy dwoma metalizowanymi powierzchniami. Procedura montażu polega na nałożeniu materiału w postaci pasty na jedną z metalizowanych powierzchni poprzez druk przez szablon lub sito. Następnie...

Laser półprzewodnikowy w obudowie umożliwiającej wyprowadzenie skolimowanej lub zogniskowanej wiązki promieniowania o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu bezpośredniego wyprowadzenia wiązki promieniowania (przez okienko).

Wyjściowa wiązka optyczna...

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody.

W przypadku zmontowania...

Wysokonapięciowa dioda SiC

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć  i prądów dla...

Pianka poliuretanowa zawierająca nanocząstki metali

Przedmiotem wynalazku jest pianka poliuretanowa zawierająca w swojej strukturze nanocząstki srebra, złota lub miedzi. Opracowano metodę otrzymywania materiału poliuretanowego polegającą na zmieszaniu w temperaturze pokojowej wodnej suspensji nanosrebra, nanozłota lub nanomiedzi z przedmieszką poliolową, która stanowi...