Inna

Wielowarstwowy materiał luminescencyjny.

Ze względu na szybki rozwój branży elektronicznej istnieje zapotrzebowanie na wydajne konwertery promieniowania podczerwonego i ultrafioletowego na widzialne. Dąży się do tego, aby materiał luminescencyjny do konwerterów charakteryzował się jak największą wydajnością procesu konwersji oraz zależnością barwy fluorescencji od temperatury...

Technologie szkła i włókna PCF: wysoko dwójłomne; nieliniowe do generacji supercontinuum ze strukturyzowanymi rdzeniami

Zastosowanie szkieł wieloskładnikowych do wytwarzania włókien fotonicznych ma szereg zalet w stosunku do szkieł krzemionkowych: *łatwiejsze kształtowanie otworów o różnym profilu w płaszczu...

Wykonywanie miniaturowych wysokorozdzielczych obwodów biernych na podłożach ceramicznych

Oferujemy technologię wytwarzania wysokorozdzielczych obwodów grubowarstwowych na podłożach ceramicznych Al2O3. Obwody mogą bazować na metalach: Ag, Au, Pt, Pd lub dielektrykach.

Proces technologiczny stosowania...

Materiały do montażu struktur półprzewodnikowych mocy

Oferujemy materiały do niskotemperaturowy montażu spiekanego (LTJT). Ta metoda umożliwia wytworzenie trwałego złącza pomiędzy dwoma metalizowanymi powierzchniami. Procedura montażu polega na nałożeniu materiału w postaci pasty na jedną z metalizowanych powierzchni poprzez druk przez szablon lub sito. Następnie...

Piezoelektroniczny, bezprzewodowy czujnik temperatury

Piezoelektroniczny czujnik temperatury jest zbudowany na bazie rezonatora z akustyczną falą powierzchniową. Częstotliwość rezonansowa podzespołu zmienia się w funkcji temperatury. Możliwy jest bezprzewodowy, pasywny odbiór sygnału czujnika lub siatki czujników z kodowaniem identyfikatora węzła siatki (RF-ID)....

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody.

W przypadku zmontowania...

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi...

Technologia selektywnych detektorów UV i macierzy detektorów GaN/AlGaN

Opracowano typoszereg detektorów UV, których charakterystyki czułości widmowej pokrywają cały zakres UV – UVC, UVB i UVA. Detektory są selektywne. Charakterystyki widmowej czułości mogą mieć minimalną szerokość połówkową równą nawet 8nm bez zastosowania filtrów optycznych. Różnica...

Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm.

Opracowywanie...