Opakowania i poligrafia

Piezoelektroniczny, bezprzewodowy czujnik temperatury

Piezoelektroniczny czujnik temperatury jest zbudowany na bazie rezonatora z akustyczną falą powierzchniową. Częstotliwość rezonansowa podzespołu zmienia się w funkcji temperatury. Możliwy jest bezprzewodowy, pasywny odbiór sygnału czujnika lub siatki czujników z kodowaniem identyfikatora węzła siatki (RF-ID)....

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody.

W przypadku zmontowania...

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi...

Pianka poliuretanowa zawierająca nanocząstki metali

Przedmiotem wynalazku jest pianka poliuretanowa zawierająca w swojej strukturze nanocząstki srebra, złota lub miedzi. Opracowano metodę otrzymywania materiału poliuretanowego polegającą na zmieszaniu w temperaturze pokojowej wodnej suspensji nanosrebra, nanozłota lub nanomiedzi z przedmieszką poliolową, która stanowi...

Technologia selektywnych detektorów UV i macierzy detektorów GaN/AlGaN

Opracowano typoszereg detektorów UV, których charakterystyki czułości widmowej pokrywają cały zakres UV – UVC, UVB i UVA. Detektory są selektywne. Charakterystyki widmowej czułości mogą mieć minimalną szerokość połówkową równą nawet 8nm bez zastosowania filtrów optycznych. Różnica...

Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm.

Opracowywanie...

Virtual Data Center

Virtual Data Center jest technologią umożliwiającą świadczenie nowych usług na zwirtualizowanych zasobach (serwerów, macierzy danych). Technologia  została opracowana przez Sinersio Polska na podstawie badań i prób technologicznych. Jej wdrożenie możliwe jest w SINERSIO Data Center, zlokalizowanym w ramach Parku Technologicznego Interior w Nowej Soli.

...