Telekomunikacja-ICT

Totalbackup

Platforma TotalBackup to wszechstronne rozwiązanie do archiwizowania i synchronizacji danych. Kluczowe elementy systemu, takie jak aplikacja desktop instalowana na komputerze, panel użytkownika, aplikacje mobilne oraz aplikacje instalowane na serwerach, zapewniają kompleksowe zabezpieczenie danych.

Platforma posiada wbudowane mechanizmy do backupu baz danych, środowisk wirtualnych oraz...

Wykonywanie miniaturowych wysokorozdzielczych obwodów biernych na podłożach ceramicznych

Oferujemy technologię wytwarzania wysokorozdzielczych obwodów grubowarstwowych na podłożach ceramicznych Al2O3. Obwody mogą bazować na metalach: Ag, Au, Pt, Pd lub dielektrykach.

Proces technologiczny stosowania...

Materiały do montażu struktur półprzewodnikowych mocy

Oferujemy materiały do niskotemperaturowy montażu spiekanego (LTJT). Ta metoda umożliwia wytworzenie trwałego złącza pomiędzy dwoma metalizowanymi powierzchniami. Procedura montażu polega na nałożeniu materiału w postaci pasty na jedną z metalizowanych powierzchni poprzez druk przez szablon lub sito. Następnie...

Laser półprzewodnikowy w obudowie umożliwiającej wyprowadzenie skolimowanej lub zogniskowanej wiązki promieniowania o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu bezpośredniego wyprowadzenia wiązki promieniowania (przez okienko).

Wyjściowa wiązka optyczna...

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W

Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody.

W przypadku zmontowania...

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi...

Wysokonapięciowa dioda SiC

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć  i prądów dla...