Telekomunikacja-ICT

Ściernice diamentowe i z regularnego azotku boru o spoiwie żywicznym, metalowym i ceramicznym

Ściernice z ziarnem diamentowym przeznaczone są do: szlifowania powierzchni płaskich materiałów niemetalowych, ostrzenia i docierania narzędzi skrawających z ostrzami z węglików spiekanych, szlifowania otworów w...

Technologia selektywnych detektorów UV i macierzy detektorów GaN/AlGaN

Opracowano typoszereg detektorów UV, których charakterystyki czułości widmowej pokrywają cały zakres UV – UVC, UVB i UVA. Detektory są selektywne. Charakterystyki widmowej czułości mogą mieć minimalną szerokość połówkową równą nawet 8nm bez zastosowania filtrów optycznych. Różnica...

Elektroniczna identyfikacji maszyn, urządzeń, środków trwałych oraz transportu system iRIS.

System iRIS to kompleksowe narzędzie do prowadzenia elektronicznej ewidencji środków trwałych, głównie w przedsiębiorstwach górniczych, składające się z pięciu platform :

•             PECM - przeznaczonej do maszyn, urządzeń i części...

Mikrostrumieniowy wymiennik ciepła

Bateria cienkich membran z kwasoodpornej stali z mikrokanałami wyciętymi laserowo. Poszczególne membrany są przedzielone płytkami ze stopu aluminiowego, wyposażonymi w podłużne otwory. Kolektor obiegu pierwotnego jest usytuowany centralnie, kolektory obiegu wtórnego – na zewnątrz. Przylegające do siebie płytki wymiennika mają grubość 100 µm, a kanały...

Pompa do hydrotransportu ciężkiego, o podwyższonej żywotności, ze zunifikowanym układem

Pompa WH-200 do hydrotransportu ciężkiego mieszanin ciała stałego w cieczy, o średnicy króćca tłocznego DN200, ze zunifikowanym układem łożyskowym.

Układ łożyskowy wraz z zespołem dławnicy może być zastosowany również w pompach o średnicach króćca...

Metoda przygotowania i prowadzenia procesu B+R w celu jego komercjalizacji

 - Badanie i ocena zgłoszonego problemu technicznego pod kątem możliwości zastosowania rozwiązań innowacyjnych dostępnych w ramach funduszy krajowych i zagranicznych. Metoda dostępna w obszarze zrównoważonej energetyki, proekologicznym ograniczaniem strat energii, ciepła i...

Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm.

Opracowywanie...