Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

INNOWACYJNE TECHNOLOGIE I PROCESY PRZEMYSŁOWE (W UJĘCIU HORYZONTALNYM)

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/gradient_budownictwo-09_0.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/budownictwo.jpg?itok=-PEpG3sj

ZRÓWNOWAŻONA ENERGETYKA

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/biale_energetyka-02-02_0%20kopia.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/energetyka_0_0.jpg?itok=AKDxavbf

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji

itme@itme.edu.pl
Forma ochrony: 
Zastrzeżone know-how
Forma komercjalizacji: 
Umowa produkcyjna (podwykonawstwo)
Komercyjne usługi badawcze


Dawca jest jedynym podmiotem uprawnionym do technologii
Opis technologii: 

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi 80V. Wykonano wiele serii tranzystorów małej mocy. Osiągnięto powtarzalny poziom parametrów z małym rozrzutem na płytce półprzewodnika jak również pomiędzy płytkami. W związku z tym istnieje realna możliwość szybkiego wdrożenia układów scalonych na mikrofalowe pasmo S. Obecnie w opracowaniu są tranzystory średniej (do 20W) i dużej mocy (do 200W) jak również układy scalone małej skali integracji.

Zalety/korzyści z zastosowania technologii: 

W porównaniu do wyrobów skomercjalizowanych występują dwie zalety:

  1. nie trzeba uzyskać licencji eksportowej (zakup w USA)– w wypadku przyrządów o potencjalnym zastosowaniu militarnym sprzedaż dużych ilości przyrządów prawdopodobnie jest niemożliwa;

  2. można planować rozwój wyrobów o zaletach przedstawionych wyżej oraz o specyficznych funkcjach opisanych przez użytkownika (ASIC).

Zastosowanie rynkowe: 

Motoryzacja – przyrządy do pracy w podwyższonych temperaturach (w stosunku do elementów krzemowych);

Radiolokacja – radar „półprzewodnikowy” nowej generacji;

Gospodarstwo domowe – kuchnia mikrofalowa;

Fotowoltaika – przekształtniki energii  odnawialnej – również takie, które pracują w wysokich temperaturach (nie wymagają chłodzenia).



Dawca technologii oferuje doradztwo związane z wdrożeniem
Doradztwo w zakresie: 

Opracowanie wyrobu specyficznego dla potrzeb odbiorcy.


Dawca technologii:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Dane kontaktowe

(22)8349714

Kontakt z ARP

<strong>Nazwa podmiotu / Imię i nazwisko </strong>:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
<strong>Czy prawa własności do technologii mają również inne podmioty / osoby?</strong>:

Nie
<strong>Nazwa technologii</strong>:
Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji
<br/><strong>Forma ochrony</strong>:
Zastrzeżone know-how
<br/><br/><strong>Dojrzałość technologii</strong>:
<br/><br/><strong>Forma komercjalizacji</strong>:
Umowa produkcyjna (podwykonawstwo), Komercyjne usługi badawcze
<br/><br/><strong>Opis technologii</strong>:

Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie  16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi 80V. Wykonano wiele serii tranzystorów małej mocy. Osiągnięto powtarzalny poziom parametrów z małym rozrzutem na płytce półprzewodnika jak również pomiędzy płytkami. W związku z tym istnieje realna możliwość szybkiego wdrożenia układów scalonych na mikrofalowe pasmo S. Obecnie w opracowaniu są tranzystory średniej (do 20W) i dużej mocy (do 200W) jak również układy scalone małej skali integracji.


<strong>Zalety/korzyści z zastosowania technologii</strong>:

W porównaniu do wyrobów skomercjalizowanych występują dwie zalety:

  • nie trzeba uzyskać licencji eksportowej (zakup w USA)– w wypadku przyrządów o potencjalnym zastosowaniu militarnym sprzedaż dużych ilości przyrządów prawdopodobnie jest niemożliwa;

  • można planować rozwój wyrobów o zaletach przedstawionych wyżej oraz o specyficznych funkcjach opisanych przez użytkownika (ASIC).


  • <strong>Zastosowanie rynkowe</strong>:

    Motoryzacja – przyrządy do pracy w podwyższonych temperaturach (w stosunku do elementów krzemowych);

    Radiolokacja – radar „półprzewodnikowy” nowej generacji;

    Gospodarstwo domowe – kuchnia mikrofalowa;

    Fotowoltaika – przekształtniki energii  odnawialnej – również takie, które pracują w wysokich temperaturach (nie wymagają chłodzenia).


    <strong>Słowa kluczowe</strong>:<br/>
    mikrofalowy tranzystor HEMT, GaN/AlGaN*
    <br/><br/><strong>Dawca zapewnia doradztwo związane z wdrożeniem</strong>:
    Tak
    <strong>Doradztwo w zakresie</strong>:

    Opracowanie wyrobu specyficznego dla potrzeb odbiorcy.


    lech.dobrzanski@itme.edu.pl
    (22)8349714
    Dawcy - PDF