Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

INNOWACYJNE TECHNOLOGIE I PROCESY PRZEMYSŁOWE (W UJĘCIU HORYZONTALNYM)

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/gradient_budownictwo-09_0.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/budownictwo.jpg?itok=-PEpG3sj

ZRÓWNOWAŻONA ENERGETYKA

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/biale_energetyka-02-02_0%20kopia.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/energetyka_0_0.jpg?itok=AKDxavbf

ZDROWE SPOŁECZEŃSTWO

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/biale_medycyna-01_0%20kopia.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/medycuna_3.jpg?itok=_mNGAmDJ

SUROWCE NATURALNE I GOSPODARKA ODPADAMI

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/biale_opakowania_poligrafia-10-10_0%20kopia.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/opakowania_0.jpg?itok=Fu08asKg

Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

itme@itme.edu.pl
Forma ochrony: 
Patent
Zastrzeżone know-how
Chronione prawem autorskim
Forma komercjalizacji: 
Umowa produkcyjna (podwykonawstwo)
Komercyjne usługi badawcze


Dawca jest jedynym podmiotem uprawnionym do technologii
Opis technologii: 

Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm.

Opracowywanie wyrobów według specyfikacji zamawiającego. Produkcja małoseryjna.

Zalety/korzyści z zastosowania technologii: 

Wytworzenie unikalnych w skali światowej wysokorezystywnych, krzemowych warstw epitaksjalnych o grubości powyżej 155 µm.

Wysoka jakość, unikalność niektórych produktów.

Zastosowanie rynkowe: 

Wytwórcy przyrządów półprzewodnikowych.



Dawca technologii oferuje doradztwo związane z wdrożeniem
Doradztwo w zakresie: 

Doradztwo w zakresie tematyki oferty.

Słowa kluczowe: 

Dawca technologii:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Dane kontaktowe

22 8353041 wew. 188

Kontakt z ARP

<strong>Nazwa podmiotu / Imię i nazwisko </strong>:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
<strong>Czy prawa własności do technologii mają również inne podmioty / osoby?</strong>:

Nie
<strong>Nazwa technologii</strong>:
Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si
<br/><strong>Forma ochrony</strong>:
Patent, Zastrzeżone know-how, Chronione prawem autorskim
<br/><br/><strong>Dojrzałość technologii</strong>:
<br/><br/><strong>Forma komercjalizacji</strong>:
Umowa produkcyjna (podwykonawstwo), Komercyjne usługi badawcze
<br/><br/><strong>Opis technologii</strong>:

Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm.

Opracowywanie wyrobów według specyfikacji zamawiającego. Produkcja małoseryjna.


<strong>Zalety/korzyści z zastosowania technologii</strong>:

Wytworzenie unikalnych w skali światowej wysokorezystywnych, krzemowych warstw epitaksjalnych o grubości powyżej 155 µm.

Wysoka jakość, unikalność niektórych produktów.


<strong>Zastosowanie rynkowe</strong>:

Wytwórcy przyrządów półprzewodnikowych.


<strong>Słowa kluczowe</strong>:<br/>
Si, warstwa epitaksjalna, CVD
<br/><br/><strong>Dawca zapewnia doradztwo związane z wdrożeniem</strong>:
Tak
<strong>Doradztwo w zakresie</strong>:

Doradztwo w zakresie tematyki oferty.


Jerzy.sarnecki@itme.edu.pl
22 8353041 wew. 188
Dawcy - PDF