INNOWACYJNE TECHNOLOGIE I PROCESY PRZEMYSŁOWE (W UJĘCIU HORYZONTALNYM)
ZRÓWNOWAŻONA ENERGETYKA
Wysokonapięciowa dioda SiC
Dawca jest jedynym podmiotem uprawnionym do technologii
Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć i prądów dla diody p-i-n. Realne jest opracowanie produktu o napięciu przebicia większym niż 10kV – taki produkt nie występuje na rynku
Istniej szansa na wdrożenie produktu, który nie występuje na rynku. Przyrządy wysokonapięciowe z SiC mają większą sprawność niż ich krzemowe odpowiedniki, ponadto mogą pracować bez chłodzenia w wysokich temperaturach. Pozwala to na znaczne zmniejszenie gabarytów sprzętu w stosunku do aparatury z elementami krzemowymi.
Sterowniki – przekształtniki w energetyce odnawialnej – fotowoltaika i elektrownie wiatrowe.
Elektronika samochodowa – elementy i układy pracujące w podwyższonej temperaturze.
Oferujemy elementy wg specyfikacji klienta.
Dawca technologii oferuje doradztwo związane z wdrożeniem
W zakresie oferty i możliwości jej rozszerzenia.
Dawca technologii:
