Wysokonapięciowa dioda SiC

INNOWACYJNE TECHNOLOGIE I PROCESY PRZEMYSŁOWE (W UJĘCIU HORYZONTALNYM)

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/gradient_budownictwo-09_0.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/budownictwo.jpg?itok=-PEpG3sj

ZRÓWNOWAŻONA ENERGETYKA

ikona bez podpisów - fiolet: 
/sites/default/files/biale_energetyka-02-02_0%20kopia.png
/sites/default/files/styles/miniaturka_200x200/public/branze/energetyka_0_0.jpg?itok=AKDxavbf

Wysokonapięciowa dioda SiC

itme@itme.edu.pl
Forma ochrony: 
Zastrzeżone know-how
Forma komercjalizacji: 
Umowa produkcyjna (podwykonawstwo)
Komercyjne usługi badawcze


Dawca jest jedynym podmiotem uprawnionym do technologii
Opis technologii: 

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć  i prądów dla diody p-i-n. Realne jest opracowanie produktu o napięciu przebicia większym niż 10kV – taki produkt nie występuje na rynku

Zalety/korzyści z zastosowania technologii: 

Istniej szansa na wdrożenie produktu, który nie występuje na rynku. Przyrządy wysokonapięciowe z SiC mają większą sprawność niż ich krzemowe odpowiedniki, ponadto mogą pracować bez chłodzenia w wysokich temperaturach. Pozwala to na znaczne zmniejszenie gabarytów sprzętu w stosunku do aparatury z elementami krzemowymi.

Zastosowanie rynkowe: 

Sterowniki – przekształtniki w energetyce odnawialnej – fotowoltaika i elektrownie wiatrowe.

 Elektronika samochodowa – elementy i układy pracujące w podwyższonej temperaturze.

Oferujemy elementy  wg specyfikacji klienta.



Dawca technologii oferuje doradztwo związane z wdrożeniem
Doradztwo w zakresie: 

W zakresie oferty i możliwości jej rozszerzenia.


Dawca technologii:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Dane kontaktowe

(22)8349714

Kontakt z ARP

<strong>Nazwa podmiotu / Imię i nazwisko </strong>:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
<strong>Czy prawa własności do technologii mają również inne podmioty / osoby?</strong>:

Nie
<strong>Nazwa technologii</strong>:
Wysokonapięciowa dioda SiC
<br/><strong>Forma ochrony</strong>:
Zastrzeżone know-how
<br/><br/><strong>Dojrzałość technologii</strong>:
<br/><br/><strong>Forma komercjalizacji</strong>:
Umowa produkcyjna (podwykonawstwo), Komercyjne usługi badawcze
<br/><br/><strong>Opis technologii</strong>:

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć  i prądów dla diody p-i-n. Realne jest opracowanie produktu o napięciu przebicia większym niż 10kV – taki produkt nie występuje na rynku


<strong>Zalety/korzyści z zastosowania technologii</strong>:

Istniej szansa na wdrożenie produktu, który nie występuje na rynku. Przyrządy wysokonapięciowe z SiC mają większą sprawność niż ich krzemowe odpowiedniki, ponadto mogą pracować bez chłodzenia w wysokich temperaturach. Pozwala to na znaczne zmniejszenie gabarytów sprzętu w stosunku do aparatury z elementami krzemowymi.


<strong>Zastosowanie rynkowe</strong>:

Sterowniki – przekształtniki w energetyce odnawialnej – fotowoltaika i elektrownie wiatrowe.

 Elektronika samochodowa – elementy i układy pracujące w podwyższonej temperaturze.

Oferujemy elementy  wg specyfikacji klienta.


<strong>Słowa kluczowe</strong>:<br/>
SiC, dioda Schottky’ego, dioda PIN, przekształtnik energii
<br/><br/><strong>Dawca zapewnia doradztwo związane z wdrożeniem</strong>:
Tak
<strong>Doradztwo w zakresie</strong>:

W zakresie oferty i możliwości jej rozszerzenia.


Lech.dobrzanski@itme.edu.pl
(22)8349714
Dawcy - PDF