Baza technologii

Źródło wzbudzenia plazmy jarzeniowej
Instytut Optyki Stosowanej imienia prof. Maksymiliana Pluty
Opis technologii / usługi
W źródle wzbudzenia plazmy jarzeniowej generowanej za pomocą mikrofal lub energii wysokiej częstotliwości wolny koniec cylindrycznej tulei, w której następuje pobudzenie wysokich wartości pola elektrycznego, a także pozostała część tulei są oddzielone od gazu roboczego i otoczone warstwą dielektyka.
Zalety / korzyści z zastosowania technologii
Zastosowanie warstwy dielektryka ogranicza zużycie elektod-anten oraz zapobiega występowaniu efektu „sputtering’u”. Ponadto ułatwia podtrzymanie wyładowania jarzeniowego w wybranym gazie roboczym oraz zwiększa tolerancję plazmy na aerozol pozwalając na analizę oprócz próbek gazowych także próbek ciekłych
Zastosowanie rynkowe
Alternatywa dla klasycznego źródła wzbudzenia plazmy ICP-OES. Możliwość stosowania zarówo w laboratoriach zajmujących się kontolą jakości jak i do celów badawczo-naukowych. Możliwość zastosowania w przemyśle spożywczym, farmaceutycznym, petrochemicznym itd. do przeprowadzania analizy ilościowej lub jakościowej.