Baza technologii
Laser półprzewodnikowy w obudowie umożliwiającej wyprowadzenie skolimowanej lub zogniskowanej wiązki promieniowania o mocy rzędu 5 W
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis technologii / usługi
Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu bezpośredniego wyprowadzenia wiązki promieniowania (przez okienko). Wyjściowa wiązka optyczna formowana jest wewnątrz obudowy przez układ dwóch soczewek dyfrakcyjnych. Opracowana konstrukcja diody laserowej, zapewniająca małą rozbieżność emitowanej wiązki oraz wysoką jakość projektowanej i wykonanej optyki dyfrakcyjnej zapewniają wysoką sprawność układu formowania i całego urządzenia. Optyka dyfrakcyjna umożliwia znaczną dowolność formowania wiązki. Możliwość zastosowania wewnętrznej chłodziarki termoelektrycznej, np. w celu ‘przestrojenia’ długości fali emitowanej.
Zalety / korzyści z zastosowania technologii
Nie istnieje krajowa oferta w zakresie laserów półprzewodnikowych. Istotną cechą proponowanej produkcji małoseryjnej jest elastyczność w projektowaniu i wykonawstwie. Zależnie od potrzeb odbiorcy możliwy jest dobór długości fali i mocy emitowanej. Optyka dyfrakcyjna umożliwia formowanie wiązki – jej profilu poprzecznego (wiązka kołowa, eliptyczna, prostokątna itd.) i ogniskowania (odległość ogniska lub kolimacja).
Zastosowanie rynkowe
Pompowanie optyczne, Komunikacja w otwartej przestrzeni, Obróbka materiałów: mikro-zgrzewanie, precyzyjne lutowanie, znakowanie itp. Telemetria, triangulacja itp. Medyczne.
Tagi
Branże
Pliki
Lokalizacja
Dane podmiotu
Nazwa: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
NIP: 5250008488