Baza technologii

Laser półprzewodnikowy w obudowie z wyjściem światłowodowym o mocy rzędu 5 W
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis technologii / usługi
Dioda laserowa lub krótka (do 4 mm) linijka diod laserowych w obudowie typu HHL zmodyfikowanej w celu wyprowadzenia promieniowania przez światłowód. Długość fali emitowanej - w zakresie 800 – 1000 nm, zależnie od zamontowanej diody. W przypadku zmontowania krótkiej linijki lub kilku diod (n.p. emitujących na różnych długościach fali), wyprowadzone włókna światłowodowe można stosować niezależnie lub zespawać poza obudową. Możliwość zastosowania wewnętrznej chłodziarki termoelektrycznej, np. w celu ‘przestrojeni a’ długości fali emitowanej. Oferta dotyczy źródeł laserowych o parametrach określonych przez użytkownika. W wypadku większego zapotrzebowania możliwy jest transfer technologii, lub jej części.
Zalety / korzyści z zastosowania technologii
Nie istnieje krajowa oferta w zakresie laserów półprzewodnikowych. Istotną cechą proponowanej produkcji małoseryjnej jest elastyczność w projektowaniu i wykonawstwie. Zależnie od potrzeb odbiorcy możliwy jest dobór długości fali i mocy emitowanej, można montować krótką linijkę lub więcej (do trzech) indywidualnych diod niezależnie zasilanych.
Zastosowanie rynkowe
Pompowanie optyczne; Obróbka materiałów: mikro-zgrzewanie, precyzyjne lutowanie, znakowanie, itp. Medyczne.
Tagi
Branże
Pliki
Lokalizacja
Dane podmiotu
Nazwa: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
NIP: 5250008488