Baza technologii

Technologia mikrofalowych tranzystorów HEMT dla potrzeb radiolokacji
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis technologii / usługi
Opracowano technologię tranzystora HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szafirowych i na podłożu z węglika krzemu SiC z bramką o długości 500nm uzyskaną metodą elektronoitografii. Tranzystory wykazują wzmocnienie 16dB w paśmie S i 10 dB w paśmie X. Napięcie przebicia tranzystorów wynosi 80V. Wykonano wiele serii tranzystorów małej mocy. Osiągnięto powtarzalny poziom parametrów z małym rozrzutem na płytce półprzewodnika jak również pomiędzy płytkami. W związku z tym istnieje realna możliwość szybkiego wdrożenia układów scalonych na mikrofalowe pasmo S. Obecnie w opracowaniu są tranzystory średniej (do 20W) i dużej mocy (do 200W) jak również układy scalone małej skali integracji.
Zalety / korzyści z zastosowania technologii
W porównaniu do wyrobów skomercjalizowanych występują dwie zalety: nie trzeba uzyskać licencji eksportowej (zakup w USA)– w wypadku przyrządów o potencjalnym zastosowaniu militarnym sprzedaż dużych ilości przyrządów prawdopodobnie jest niemożliwa; można planować rozwój wyrobów o zaletach przedstawionych wyżej oraz o specyficznych funkcjach opisanych przez użytkownika (ASIC).
Zastosowanie rynkowe
Motoryzacja – przyrządy do pracy w podwyższonych temperaturach (w stosunku do elementów krzemowych); Radiolokacja – radar „półprzewodnikowy” nowej generacji; Gospodarstwo domowe – kuchnia mikrofalowa; Fotowoltaika – przekształtniki energii odnawialnej – również takie, które pracują w wysokich temperaturach (nie wymagają chłodzenia).
Tagi
Branże
Lokalizacja
Dane podmiotu
Nazwa: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
NIP: 5250008488