Baza technologii


Logo wpisu Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Opis technologii

Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm. Opracowywanie wyrobów według specyfikacji zamawiającego. Produkcja małoseryjna.

Zalety / korzyści z zastosowania technologii

Wytworzenie unikalnych w skali światowej wysokorezystywnych, krzemowych warstw epitaksjalnych o grubości powyżej 155 µm. Wysoka jakość, unikalność niektórych produktów.

Zastosowanie rynkowe

Wytwórcy przyrządów półprzewodnikowych.

Tagi

Branże

Lokalizacja

Dane podmiotu

Nazwa: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

NIP: 5250008488

Adres www: http://www.itme.edu.pl

Typ podmiotu: Instytut naukowo - badawczy

Forma ochrony

Wynalazek
Strzeżone know-how
Chronione prawem autorskim

Poziom gotowości technologicznej

None

Forma komercjalizacji

Umowa produkcyjna (podwykonawstwo)
Komercyjne usługi badawcze

Dodatkowe informacje

Inne podmioty/osoby nie posiadają praw własności do tej technologii.
Posiadający technologię zapewnia doradztwo związane z wdrożeniem.

Dodano 12 maja 2021 16:54

Wróć na stronę "Bazy"