Baza technologii

Technologia wytwarzania epitaksjalnych struktur Si
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis technologii / usługi
Umożliwia wytwarzanie epitaksjalnych struktur krzemowych typu n/n+, p/p+, n/n+, p/p+, struktur z epitaksjalnym złączem p/n oraz struktur wielowarstwowych. Osadzane w procesie CVD krzemowe warstwy epitaksjalne o rezystywności w przedziale 0,002 – 5000 OMEGAcm i grubości w zakresie 2 – 180 µm. Opracowywanie wyrobów według specyfikacji zamawiającego. Produkcja małoseryjna.
Zalety / korzyści z zastosowania technologii
Wytworzenie unikalnych w skali światowej wysokorezystywnych, krzemowych warstw epitaksjalnych o grubości powyżej 155 µm. Wysoka jakość, unikalność niektórych produktów.
Zastosowanie rynkowe
Wytwórcy przyrządów półprzewodnikowych.
Tagi
Branże
Lokalizacja
Dane podmiotu
Nazwa: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
NIP: 5250008488