Baza technologii
Całkowicie optyczna metoda pomiaru stałych elastyczności K22 i K33 w nematycznych ciekłych kryształach z wykorzystaniem układu skanowania podłużnego
Instytut Badań Stosowanych Politechniki Warszawskiej Sp. z o.o.
Opis technologii / usługi
Koncepcja całkowitego pomiaru stałych elastyczności K22 i K33 w nematycznych ciekłych kryształach z wykorzystaniem układu skanowania podłużnego polega na nowatorskim sposobie wyznaczenia wartości progowego natężenia pola elektrycznego będącego składową monochromatycznej, liniowo spolaryzowanej wiązki fali elektro-magnetycznej.
Zalety / korzyści z zastosowania technologii
1) Dokładniejszy niż w innych metodach pomiar stałych elastyczności K22 i K33 poprzez wyznaczenie progowego natężenia pola elektrycznego będącego składową wykorzystanej w badaniu wiązki fali elektro-magnetycznej. 2) Metoda nie wymaga wykorzystania skomplikowanych konstrukcji komórek ciekłokrystalicznych wyposażonych w dodatkowe elektrody co zmniejsza koszt ich produkcji oraz poprawia jakość. 3) Niewrażliwość na początkowe ustawienie badanej próbki w układzie pomiarowym eliminuje niepewność związaną z dokładnym określeniem oświetlanego obszaru warstwy nematycznego ciekłego kryształu. Możliwa jest kontrola długości pojedynczego kroku przesuwu próbki wzdłuż kierunku propagacji wiązki fali elektro-magnetycznej. 4) Pełna automatyzacja zapewniająca dużą powtarzalność uzyskanych wyników. 5) Prostszy pomiar wartości K22 niż w metodach wykorzystujących zewnętrzne pole elektryczne.
Zastosowanie rynkowe
Celem wykorzystania technologii jest precyzyjny pomiar stałych elastyczności K22 i K33 nematycznych ciekłych kryształach. Parametry te są wykorzystywane przy konstrukcji między innymi wyświetlaczy ciekłokrystalicznych, ciekłokrystalicznych czujników temperatury i ciśnienia oraz ciekłokrystalicznych przełączników optycznych.
Tagi
Branże
Lokalizacja
Dane podmiotu
Nazwa: Instytut Badań Stosowanych Politechniki Warszawskiej Sp. z o.o.
NIP: 7010360620