Baza technologii


Logo wpisu Wysokonapięciowa dioda SiC

Wysokonapięciowa dioda SiC

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Opis technologii / usługi

Opracowano technologię wysokonapięciowych diod Schottlky’ego na podłożach SiC o napięciach przebicia 600V, 900V i 1100V i prądzie przewodzenia 3A. Ponadto opracowano technologię wysokonapięciowej diody p-i-n z SiC o napięciu przebicia większym niż 2500V oraz prądzie przewodzenia 3A. Istnieje możliwość szybkiego rozszerzenia zakresu granicznych napięć i prądów dla diody p-i-n. Realne jest opracowanie produktu o napięciu przebicia większym niż 10kV – taki produkt nie występuje na rynku

Zalety / korzyści z zastosowania technologii

Istniej szansa na wdrożenie produktu, który nie występuje na rynku. Przyrządy wysokonapięciowe z SiC mają większą sprawność niż ich krzemowe odpowiedniki, ponadto mogą pracować bez chłodzenia w wysokich temperaturach. Pozwala to na znaczne zmniejszenie gabarytów sprzętu w stosunku do aparatury z elementami krzemowymi.

Zastosowanie rynkowe

Sterowniki – przekształtniki w energetyce odnawialnej – fotowoltaika i elektrownie wiatrowe. Elektronika samochodowa – elementy i układy pracujące w podwyższonej temperaturze. Oferujemy elementy wg specyfikacji klienta.

Tagi

Branże

Lokalizacja

Dane podmiotu

Nazwa: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

NIP: 5250008488

Adres www: http://www.itme.edu.pl

Typ podmiotu: Instytut naukowo - badawczy

Forma ochrony

Strzeżone know-how

Poziom gotowości technologicznej

None

Forma komercjalizacji

Umowa produkcyjna (podwykonawstwo)
Komercyjne usługi badawcze

Dodatkowe informacje

Inne podmioty/osoby nie posiadają praw własności do tej technologii.
Posiadający technologię zapewnia doradztwo związane z wdrożeniem.

Linki


Dodano 12 maja 2021 16:55

Wróć na stronę "Bazy"